美国爱荷华州立大学的研究人员与美国能源部艾姆斯实验室(Ames Laboratory)合作研发出一种提高存储速度的方法，即使用超短激光脉冲和特殊材料，可将磁性切换的速度比目前的存储设备提高大约1000倍。
美国爱荷华州立大学物理与天文学系王继刚教授及其团队在《自然》杂志上发表了他们的实验结果，在其实验中，他们使用巨大磁阻材料放置在电场中，从而极大地改变其电磁阻力。
根据艾姆斯实验室发出的一份声明显示，目前的磁存储依赖于加热铁磁材料——通常通过其他磁场或者连续激光，来改变自己的方向，与使用激光的极微小脉冲来引起巨大磁阻材料发生相同的变化相比，这需要花更长的时间。
从本质上来将，爱荷华州立大学研究人员开发的技术可以允许RAM模块或者硬盘驱动器可以更快地将0变为1，并且使用更少的能源。
然而，王教授称这种技术并不会很快出现在市面上。
“超巨磁阻材料是非常吸引人的技术，但我们仍然需要更多地了解它们是如何运作的，”王教授称，“特别是，我们必须了解当加热不显著而激光脉冲仍然在与巨大磁阻材料中的磁矩相互作用的非常短的时间内会发生什么。”(邹铮编译)