CCD传感器发展历史及现状解析

  除可见光CCD图像传感器外,中国还研制出了线阵64、128、256、1024像元和面阵32×64、128×128、256×256像元硅化铂 肖特基势垒红外CCD(Ptsi桽BIRCCD)。中国正在研制和开发的CCD有:512×512像元X射线CCD、512×512像元光纤面板耦合 CCD像敏器件、512×512像元帧转移可见光CCD、1024×1024像元紫外CCD、1024像元X射线CCD、512×512像元PtSi桽 BIRCCD、微光CCD和多光谱红外CCD等。但由于受经费、设备等因素影响,中国CCD图像传感器的研究进展尚不够迅速,还没有生产能力,与国际先进 水平相比差距很大。就CCD的应用潜力而言,也最多不过发挥了1%左右。据悉,信息产业部下属研究所已从美国和俄罗斯引进可见光和红外CCD芯片生产线并 开展试验工作,这将大大促进中国CCD芯片的产业化进程。