“这种技术为紧密地整合多个感测器提供了替代性方法，可以协助像系统或CMOS制造商等缺少自有技术的新公司很快地开发出产品来。”CEA-Leti北美策略合作夥伴副总裁Hughes Metras并指出，CEA-Leti已经与首家取得授权的业者Tronics迅速地将其六自由度惯性感测器推向市场了。
如今，这些基本技术的成熟还意味着MEMS市场开始从一些基于共同利益的合作中寻找优势，特别是在一些设备要求或测试操作等方面。目前在测量惯性感测器性能方面还没有被广泛接受的标准，也没有像ITRS路线图那样为设备制造商定义未来需求的手段，Teledyne Dalsa的Jean指出。
“目前在MEMS市场所要求的成本和可用的先进CMOS设备之间存在着巨大的差距。”他认为，“不过，相较于为先进CMOS开发的制程，这还需要更简单且更低成本的TSV制程等技术支援。”
Teledyne Dalsa目前正与Alchimer合作开发低成本的湿式铜制程后钻孔(Via-Last) MEMS TSV途径。Teledyne DALSA的Via-Last技术采用铜钻孔，并利用Alchimer的低温电化学制程，形成具有5微米直径x100微米深完美填充的穿孔，并利用铜再分布层和镍/金UBM连接到外部。但该制程目前仅适用200mm晶圆，因此，“我们需要MEMS制造商和设备与材料供应商之间展开更加密切的合作，共同开发出更低成本的方法来推动创新进展。”他表示。