针对特定制程尺寸缩减NAND容量的局限性也让封装后的尺寸对于许多可穿戴应用来说过大。例如，用作某些应用的NOR替代品的1Gbit串行NAND采用了9×11毫米63球栅阵列封装方式。与之相反，最小的串行NOR 512Mbit和1Gbit NOR产品采用4或5×6毫米封装方式，不到NAND替代品的1/3，因此更适合于可穿戴设备和物联网生态系统中其他联网传感器的微型电路板。
图1：美光NOR闪存MCP尺寸比较。
NOR闪存也可被堆叠在设计有伪静态PSRAM的多芯片封装(MCP)中，已让控制器芯片内嵌入SRAM的应用的容量大于那些系统芯片的常见的1Mbit。例如，含64Mbit NOR闪存和32Mbit PSRAM的52球MCP仅为4×6毫米，含高达512Mb NOR闪存和128Mb PSRAM的密度较高的MCP仅为8×8毫米。参见图1美光NOR闪存MCP尺寸比较。其容量和耗电量对于大多数可穿戴设备来说可能都过大，但它或许可以应用于录制视频，例如眼镜或移动传感设备中。
图2：多芯片封装能耗预估
重新思考可穿戴设备和物联网的系统设计
由于共同构成了不断发展的物联网生态系统的可穿戴设备和其他移动联网设备在空间、耗电量和应用方面的要求，我们必须采取创新化的系统设计方法，注重芯片上(系统芯片)和封装内(多芯片封装)集成、更快的启动时间和更小的待机耗电量。这些设计上的限制条件让可穿戴设备看起来更像是高性能的功能手机，而不是智能手机或平板电脑。因此系统设计师不能只是简单地缩减现有移动设备平台的尺寸，而必须采取创新化的方式，按系统要求优化组件选择。具有下一代高密度0.4毫米间距封装和MCP模块的NOR闪存非常适合于大多数可穿戴应用，且提供了充足的本地存储容量、应用代码的本地执行便利性和低待机耗电电量，可延长设备的电池续航时间。
由于物联网系统会自动将采集的数据传输至云端，因此可穿戴设备对于本地存储的需求非常少，这意味着NOR闪存的益处大大高于其存储容量略小所带来的折损。虽然高端可穿戴设备(尤其是用于存储视频的设备)可能仍然需要NAND闪存芯片或eMMC模块，但NOR闪存完全适合于可穿戴和物联网设备市场的大部分产品。