此外，从较小的制程节点来看，这项技术也面临着与FinFET类似的问题。三星现正研究开发20nm或14nm FD-SOI的“均衡成本要素”，而GlobalFoundries则在一年内投资了10亿美元，用于研发下一代的制程几何。
VLSI Research眼中的SOI制程节点开发蓝图
虽然FD-SOI可望成为FinFET的实际替代方案，特别是针对需要微缩成本、类比优势与可靠功率的市场;不过，Hutchenson总结说，FD-SOI还称不上是真正的颠覆性技术。
Hutchenson强调，“FD-SOI并不具有颠覆性，但可望推动颠覆性进展。IoT才最具有颠覆力量：它将会像智慧型手机一样带来强大的颠覆性进展。”
编译：Susan Hong
(参考原文：FD-SOI Expands， But Is It Disruptive?，by Jessica Lipsky)