分会成员张国旗，荷兰代尔夫特理工大学教授, 国家千人计划, IEEE Fellow，国家第三代半导体联盟专家委员会成员, IEEE “国际宽禁带半导体技术路线图委员会” 秘书长, 国际半导体照明联盟(ISA)咨询委员会共同主席，欧洲微纳米可靠性中心副主任, 中科院半导体所名誉教授，半导体照明联合创新国家重点实验室外方主任,中国电子学会制造与电子封装技术分会副理事长。
阵容强大，精彩报告也是必备。分会外方主席、弗吉尼亚理工大学教授、美国工程院院士Fred Lee，分会成员、香港科技大学教授陈敬，名古屋工大教授江川孝志，晶湛半导体、国家千人计划专家程凯，中科院苏州纳米所研究员、中组部首批国家“青年千人计划”、国家技术发明一等奖获得者孙钱，中山大学教授刘扬，台湾交通大学教授、副校长兼国际半导体产业学院院长张翼等国内外专家联袂带来精彩特邀报告，分享最新研究成果。
其中，名古屋工大教授江川孝志当前的主要研究领域是氮化镓和砷化镓异质外延金属及其对电子和光学器件的应用。他至今已在众多国际期刊上发表或共同发表了超过260篇著作。他也是日本应用物理学会、日本电器学会及IEEE会士。他于1991年获得了日本电器学会电气学会振兴奖和小平纪念奖;1996年被日本激光协会授予镭射研究业绩奖;2010年他被文部科学省的日本结晶成长学会授予第17回技术奖;2013年获得井上春成奖。
中科院苏州纳米所研究员、中组部首批国家“青年千人计划”、国家技术发明一等奖获得者孙钱，2011年入选中组部首批国家“青年千人计划”，十余年以来一直致力于宽禁带半导体GaN基材料生长及新型高效LED、激光器、GaN基功率电子器件等的研发与产业化，并取得了骄人的成绩，比如其在美国硅谷的普瑞光电公司工作期间，在8英寸硅衬底上实现了160流明/瓦的高光效GaN基LED。回国后与晶能光电有限公司进行产学研实质性合作，兼任公司硅衬底GaN基LED研发副总裁，带领团队成功研发出新一代硅衬底GaN基高效LED的外延及芯片工艺技术，并在全球率先成功产业化。2015年实现了国际上第一支硅衬底GaN基蓝紫光激光器(氮化物半导体的另一种重要光电器件)的电注入室温连续激射，有望大幅降低GaN基激光器的制造成本，而且还为硅基光电集成提供了一种新的技术路线。在Si衬底氮化物电力电子方面，孙钱的课题组研发的硅基氮化物外延材料的击穿电压已突破1500V，并且通过P型栅实现了增强型电力电子器件。
第三代半导体材料广阔的应用前景及庞大的潜在市场，决定了其受火热程度，想把握大势，那一定要来看看，11月15日，我们北京见!
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