从去年IBM收购TMS到现在已经过去了一年时间，在这一年中IBM发布了两个系列的全闪存阵列（共四种型号）的新品（2013年4月），另一方面IBM宣布投入10亿美元发展闪存战略。在近日的2013 IBM闪存技术与趋势研讨会上，IBM再次分享了FlashSystem的优势和IBM的闪存战略。
IBM系统与科技部大中华区新兴业务总经理及FlashSystem总经理黄国文先生
作为大中华区新兴业务掌门人，黄国文认为在过去的十年中，IT架构中CPU、内存、网络以及总线的性能都有数倍到数十倍的提升，但是在存储介质这层只提高了1.2倍。磁盘在响应时间、IOPS以及可靠性和稳定性上都拖慢了数据中心的演进速度。存储一定程度上成了数据中心的一块短板，而闪存阵列将成为补齐这块短板的一个绝佳的工具，而IBM的闪存阵列就是FlashSystem。
现场展出的一台FlashSystem 720全闪存阵列，其中可以看到中间有12条闪存卡，这台1U的全闪存阵列最大容量可以做到12TB。
在文章《TMS收购成果初现：IBM推FlashSystem全闪存阵列》中关于FlashSystem的命名规则的描述，在FlashSystem产品的XX0三位数字中，第二位“1”表示单控制器而“2”代表HA。那么第一位“7”表示SLC闪存而“8”代表eMLC闪存。从上图可以看到四个型号的FlashSystem的IOPS都在40万到50万之间，读写响应时间在100/25微秒。（IBM强调FlashSystem可以在IOPS达到最高时保证延迟在微秒级）