HDS针对闪存的两个缺陷对自己的HAFS进行了很多优化的设计。总结起来主要体现在以下三点，第一闪存中添加多个闪存控制器。据陈戈介绍，HDS在HAFS当中配置了4个闪存控制器，闪存控制器数量的增加可以保证数据被写到更多的芯片上，减少对少数闪存芯片进行大量擦写的操作，另外4个闪存控制器还可以有效的对多余空间进行回收，芯片数据的整理以及数据的在线压缩等等;第二是增加闪存总线和eMLC的芯片，32条闪存总线和128个eMLC闪存芯片都有利于减少对单一闪存芯片进行过多的擦写，而且可以提升闪存的读写性能;最后是增加多余的闪存芯片。如果闪存卡本身有120GB容量，为保证寿命，厂商一般会多做几GB芯片，通过固件控制表面看来硬盘始终是120GB，当其中一部分芯片磨损不能使用之后仍有备用的芯片可以使用，硬盘可以使用的容量依然是120GB。
HUS VM全闪存阵列性能优势
HUS VM全闪存阵列为适应闪存在微码上做了更新。陈戈提到传统的存储架构中性能瓶颈在磁盘而不是架构本身，而闪存科技的加入，存储架构必须做出相应的更新，微码是其中一方面，在微码这个层次上对闪存的优化使得HUS VM成为一个全闪存阵列而不是一个普通的存储加上了SSD。另外HDS今年还会推出闪存加速软件进一步优化全闪存阵列的性能。
HNAS新品：4100、4080、4060
除了HUS VM全闪存阵列，HDS还新推出了三款HNAS新品。陈戈在对HNAS新品介绍时说：“HNAS 的4000系列源自HDS收购BuleArc的产品，HDS不断的在这方面加大投入，更好的能够跟HDS整体的存储集成在一起。新的HNAS产品采用商业化Intel CPU，加上我们专有的FPGA的体系架构，混合的结构，各自做各自不同的事情。这样的话，解决方案可以应对并发IO或者连续IO等不同的环境。那么连接端口，HDS把它全部集成到了万兆以太网。”